半導体単結晶

GaN 窒化ガリウム


商品仕様
タイプ N型 Semi-Insulating
抵抗値

サイズ 10mm×10mm~15mm×15mm、φ2inch、その他
厚み 0.25mm~0.45mm、
方位 (0001)、(10-10)、その他
表面仕上 片面鏡面、両面鏡面、粗面
納期 メーカー在庫品は1~2週間
在庫切れや受注生産の場合は5~6週間 (別途お問い合わせ下さい)
備考

※その他の仕様はお問い合わせ下さい。

結晶物性
物質名 ガリウムナイトライド
化学組成 GaN
結晶構造  三方晶系ウルツ型構造
格子定数  a = 3.18Å, c = 5.17Å
密度  6.15 g/cm3
融点  2500 ℃
育成方法  HVPE法(気相法)、アンモノサーマル法
 薄茶色
純度
硬度(モース)
劈開面
誘電率
誘電損失
誘電正接
透過波長域(μ)
屈折率
屈折率分散
熱膨張率
熱伝導度(W/(m.k) )

※結晶物性データは、結晶メーカーが公表しているものや理化学辞典などの文献から引用した数値です。
 保証値ではありませんので参照程度でお願いします。

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